HF-9012光伏硅片彎曲試驗機
硅片彎曲度是指硅片中線面的中心點處凸和凹的變形量。主要的測量方法有接觸式和非接觸式兩種。彎曲度是硅片好主要的質量指標,硅片厚度公差和總厚度變化(平行度)以及光潔度的變化,主要是由彎曲度的變化引起的,盡管切片機本身的精度也會對這些指標產生影響,但它決不會使硅片厚度和總厚度變化達幾十微米甚至幾百微米的波動。
將硅片置于基準環(huán)的3個支點上，3支點形成一個基準面，用低壓力位移指示器測量硅片中心偏離基準平面的距離，翻轉硅片，重復測量。兩次測量值之差的一半就表示硅片的彎曲度。
2.1 非接觸式測量方法
將硅片正表面朝上置于基準環(huán)的3個支點上，將硅片正表面朝上置于基準環(huán)的3個支點上，3支點形成一個基準面，用一只無接觸的測量探頭，測量硅片中心點偏離基準平面的距離。翻轉硅片，重復測量。兩次測量值之差的一半就表示硅片的彎曲度。
